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IPG20N06S2L-65是MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4,包括OptiMOS系列,它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG20N6S2L65ATMA1 IPG20M06S26L65AUMA1 SP001214304的部件别名,该IPG20N86S26L65A UMA1 SP001 214304提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,以及TDSON-8封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为2信道,该器件采用双双漏极配置,该器件具有晶体管型2N信道,Pd功耗为43 W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为7 ns,上升时间为3 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为20A,Vds漏极-源极击穿电压为55V,Rds导通漏极-漏极电阻为65mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为10nS,典型接通延迟时间为2nS,Qg栅极电荷为9.4nC。
IPG20N06S26L65AATMA1,带用户指南,包括2V@14μA Vgs th Max Id,设计用于PG-TDSON-8-10供应商设备包,系列如数据表注释所示,用于汽车、AEC-Q101、OptiMOS?、?,提供Rds On Max Id Vgs功能,如65 mOhm@15A,10V,Power Max设计为43W,以及磁带和卷轴(TR)封装,该设备也可以用作8 PowerVDFN封装盒,其工作温度范围为-55°C ~ 175°C(TJ),该设备为表面安装型,该设备具有410pF@25V的输入电容Ciss Vds,栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极至源极电压Vdss为55V,电流连续漏极Id为25°C,为20A。
IPG20N06S2L-65A是INFINEON制造的MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4。IPG20N06S2L-65A采用8-PowerVDFN封装,是FET阵列的一部分,支持MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4。