9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH4253DTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH4253DTRPBF参考价格为2.61000美元。Infineon Technologies IRFH4253DTRPBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN。您可以下载IRFH4253DTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH4251DTRPBF是MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN，包括FASTIRFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供FastIRFet等商品名功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PQFN（5x6），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），肖特基，最大功率为31W、63W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1314pF@13V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为64A、188A，最大Id Vgs的Rds为3.2mOhm@30A、10V，Vgs的最大Id为2.1V@35μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@4.5V，Pd功耗为31W 63 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15ns 60ns，上升时间为61ns 105ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为64A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns 35ns，典型接通延迟时间为10ns 24ns，Qg栅极电荷为15nC 66nC，正向跨导Min为131S 161S，信道模式为增强。
IRFH4234TRPBF是MOSFET N-CH 25V 22A PQFN，包括1.6V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.8ns，典型的关闭延迟时间设计为8ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为FastIRFet，该器件采用Si技术，器件的上升时间为30纳秒，漏极-源极电阻Rds为5.6毫欧，Qg栅极电荷为17 nC，Pd功耗为3.5 W，包装为卷轴式，包装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为22 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为5.3 ns，配置为单一。
IRFH4253DPBF带有由IR制造的电路图。IRFH4253D PBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
