特色
- Q1 N信道最大值。RDS（开启）=5.0 mΩ，VGS=10 V，ID=17 A最大值。RDS（开启）=6.5 mΩ，VGS=4.5 V，ID=14 A
- Q2 N信道最大值。RDS（开启）=2.4 mΩ，VGS=10 V，ID=25 A最大值。RDS（开启）=3.0 mΩ，VGS=4.5 V，ID=22 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
- MOSFET集成实现了低电路电感和减少开关节点振铃的最佳布局
- 符合RoHS
应用
- 计算
- 通信
- 通用负载点
FDPC5030SG
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A、25A 供应商设备包装: Power Clip 56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.41337 | 14.41337 |
| 10+ | 12.96479 | 129.64791 |
| 100+ | 10.42108 | 1042.10850 |
| 500+ | 8.56212 | 4281.06100 |
| 1000+ | 7.78380 | 7783.80000 |
| 3000+ | 7.78372 | 23351.18100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.10965
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.41
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 场效应管类型 2 N通道（双通道）不对称
- 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 17A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1715FF@15V
- 最大功率 1W，1.1W
- 供应商设备包装 Power Clip 56
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17A、25A
FDPC5030SG 产品详情
该器件包括双封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™ （Q2）被设计为提供最佳的功率效率。
FDPC5030SG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDP-1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDP-N500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
| FDP-N1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
 | FDP-N1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDPC8011S | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | ¥13.03722 |
| FDPC3D5N025X9D | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,377.19398 |
 | FDPF320N06L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | FDP18N50 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 |
FDPC5030SG所属分类：场效应晶体管阵列，FDPC5030SG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDPC5030SG价格参考￥13.109649，你可以下载 FDPC5030SG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDPC5030SG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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