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FDD8424H

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A、6.5A 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.41577 9.41577
10+ 8.42349 84.23493
100+ 6.56786 656.78620
500+ 5.42536 2712.68350
1000+ 4.54274 4542.74700
2500+ 4.54274 11356.86750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.40176
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.42
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 最大功率 1.3瓦
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9A、6.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@9A、10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000皮法@20V
  • 包装/外壳 TO-252-5,DPak(4根引线+接线片),TO-252AD
  • 供应商设备包装 TO-252(DPak)

FDD8424H 产品详情

PowerTrench®双N/P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • N通道:40V,20A,24mΩ
  • P通道:-40V,-20A,54mΩ
  • Q1:N通道
  • VGS=10V,ID=9.0A时最大RDS(开)=24mΩ
  • VGS=4.5V,ID=7.0A时最大RDS(开启)=30mΩ
  • Q2:P通道
  • VGS=-10V,ID=-6.5A时最大RDS(开)=54mΩ
  • VGS=-4.5V,ID=-5.6A时最大RDS(开)=70mΩ
  • 快速切换速度
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD8424H所属分类:场效应晶体管阵列,FDD8424H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD8424H价格参考¥8.401764,你可以下载 FDD8424H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD8424H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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