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IRF7389TRPBF

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.90876 8.90876
10+ 7.95994 79.59947
100+ 6.20716 620.71650
500+ 5.12753 2563.76950
1000+ 4.49784 4497.84100
4000+ 4.49784 17991.36400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.11205
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.91
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功率 2.5瓦
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 29毫欧姆@5.8A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 650皮法 @ 25V

IRF7389TRPBF 产品详情

双N/P沟道功率MOSFET,Infineon

英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双N/P通道配置。

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 双N和P沟道MOSFET

IRF7389TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7389TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7389TRPBF价格参考¥8.112048,你可以下载 IRF7389TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7389TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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