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NDC7001C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 510毫安, 340毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.95510 29.55103
100+ 2.20401 220.40140
500+ 1.73177 865.88850
1000+ 1.33819 1338.19800
3000+ 1.25229 3756.89100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 最大功率 700mW
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 510毫安, 340毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@510毫安,10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25V时为20皮法

NDC7001C 产品详情

增强型双MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • Q1:0.51 A,60 VRDS(开)=2Ω@VGS=10 V RDS(开)=4Ω@VGS=4.5 V
  • Q2:-0.34 A,60 VRDS(开)=5Ω@VGS=-10 V RDS(开)=7.5Ω@VGS=-4.5 V
  • 高饱和电流
  • 低RDS(ON)的高密度电池设计。
  • 专有SuperSOT™-6封装设计,采用铜引线框架,具有卓越的热和电气性能

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
NDC7001C所属分类:场效应晶体管阵列,NDC7001C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NDC7001C价格参考¥3.476592,你可以下载 NDC7001C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NDC7001C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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