增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- Q1:0.51 A,60 VRDS(开)=2Ω@VGS=10 V RDS(开)=4Ω@VGS=4.5 V
- Q2:-0.34 A,60 VRDS(开)=5Ω@VGS=-10 V RDS(开)=7.5Ω@VGS=-4.5 V
- 高饱和电流
- 低RDS(ON)的高密度电池设计。
- 专有SuperSOT™-6封装设计,采用铜引线框架,具有卓越的热和电气性能
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。