久芯网

FDS9933A

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.61905 8.61905
10+ 7.67747 76.77474
100+ 5.98843 598.84300
500+ 4.94704 2473.52300
1000+ 4.14221 4142.21500
2500+ 4.14221 10355.53750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.89476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.62
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 4.5V
  • 最大功率 900mW
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600皮法 @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 3.8A, 4.5V

FDS9933A 产品详情

这些P沟道2.5V特定MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别定制,以最小化导通电阻,同时保持低栅极电荷,从而获得优异的开关性能。

特色

  • -3.8A,-20V RDS(开启)=0.075Ω@VGS=-4.5V RDS(开启时)=0.105Ω@VGA=-2.5V
  • 低栅极电荷(典型值为7nC)
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 负载开关
  • DC/DC转换器
  • 电机驱动器
FDS9933A所属分类:场效应晶体管阵列,FDS9933A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS9933A价格参考¥7.894761,你可以下载 FDS9933A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS9933A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部