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IRF7907TRPBF

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A, 11A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.01908 4.01908
  • 库存: 100
  • 单价: ¥4.01909
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.02
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 2W
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.1A, 11A
  • 导通电阻 Rds(ON) 16.4欧姆@9.1A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.35V@25A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 850皮法 @ 15V

IRF7907TRPBF 产品详情

双N沟道功率MOSFET,Infineon

英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双N通道配置。

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • PCB热阻低
  • 与现有表面安装技术兼容
  • 4.5V VGS时RDS低(ON)
  • 极低栅极电荷
  • 双N沟道MOSFET
IRF7907TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7907TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7907TRPBF价格参考¥4.019085,你可以下载 IRF7907TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7907TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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