这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。
这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件专门设计用于低电压应用,作为负载开关应用中数字晶体管的替代品。由于不需要偏置电阻器,因此一个N沟道FET可以用不同的偏置电阻器(如IMHxA系列)代替多个数字晶体管。
特色
- 25 V,0.68 A连续,2 A峰值
- RDS(开)=0.6Ω@VGS=2.7 V
- RDS(开)=0.45Ω@VGS=4.5 V
- 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作。VGS(th)<1.5 V
- 栅极-源极齐纳,用于ESD加固。>6kV人体模型
- 用一个DMOS FET替换多个NPN数字晶体管(IMHxA系列)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。