9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN63D0LT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN63D0LT-7参考价格为0.40000美元。Diodes Incorporated DMN63D0LT-7封装/规格：MOSFET N-CH 100V SOT523。您可以下载DMN63D0LT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN62D1LFD-7带有引脚细节，包括DMN62系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如X1-DFN1212-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供0.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.9 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为2.1ns，Qg栅极电荷为0.55nC，沟道模式为增强。
DMN62D1SFB-7B是MOSFET MOSFET BVDSS，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了DMN62等系列功能，Rds漏极源极电阻设计为工作在1.6欧姆，该装置也可用作X1-DFN1006-2包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供410 mA Id连续漏电流。
DMN62D4SDW-7，带有Diodes制造的电路图。DMN62D4SDW-7采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
