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IPG20N10S4L-22是MOSFET MOSFET，包括XPG20N10系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG20N010S4L22ATMA1 IPG20T10S4L22XT SP000866570的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TDSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置是双重的，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件具有60W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-16 V，Id连续漏极电流为20 a 20 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V 100V，Vgs第栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhms 20mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为21nC，沟道模式为增强型。
IPG20N10S4L22AATMA1是MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8，包括2.1V@25μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PG-TDSON-8-10，以及OptiMOS？系列，该设备也可以用作22 mOhm@17A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为60W，该设备采用IPG20N10S4L-22A SP001091984零件别名，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1755pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id为25°C，为20A。
带电路图的IPG20N10S4L-22A，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷筒包装。数据表注释中显示了用于IPG20H10S4L22AATMA1 SP001091984的零件别名，该产品提供XPG20N10等系列功能，技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
