TT8M1TR
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.76630 | 3.76630 |
| 10+ | 3.07099 | 30.70990 |
| 100+ | 2.09030 | 209.03010 |
| 500+ | 1.56794 | 783.97150 |
| 1000+ | 1.17595 | 1175.95700 |
| 3000+ | 1.07796 | 3233.88300 |
| 6000+ | 1.01263 | 6075.78000 |
- 库存: 36352
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.77
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 1W
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 场效应管特性 逻辑电平门，1.5V驱动
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 260皮法@10V
- 导通电阻 Rds(ON) 72毫欧姆 @ 2.5A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
- 供应商设备包装 8-TSST
TT8M1TR 产品详情
双N沟道和P沟道MOSFET，ROHM
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| TT8M | MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R | ¥0.00 | |
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| TT8M-T | MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R | ¥0.00 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
