品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5,145.71831 | 82 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,145.71831 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.67721 | 101 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.67721 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A，1.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.48820 | 5982 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.48820 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,773.81341 | 26 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,773.81341 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，0.9V驱动 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.51859 | 940 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.51859 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.02197 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.02197 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A、1.3A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.50942 | 7 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.50942 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.58233 | 274 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.58233 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.64946 | 7145 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.64946 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.09804 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.09804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.02561 | 9880 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.02561 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、8.5A（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.03962 | 2528 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.03962 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 36406 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥2,316.56914 | 26 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,316.56914 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 | 3090 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.35975 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.02561 | 7529 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.02561 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.53550 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.53550 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 2A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.40176 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.40176 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.87836 | 735 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.24050 | 183 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.24050 | 添加到BOM 立即询价 |