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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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操作
EM6K31GT2R
EM6K31GT2R
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.69388

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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UM6K31NFHATCN
UM6K31NFHATCN
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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QS5K2TR
QS5K2TR
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.24361

6

2-3 工作日

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合计: ¥1.24361

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QS6J1TR
QS6J1TR
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.85274

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.85274

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BSM120C12P2C201
BSM120C12P2C201
场效应管类型: 2 N通道 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 134A(Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2,594.69650

11

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,594.69650

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BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 204A(Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4,899.82185

14

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,899.82185

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BSM400D12P3G002
BSM400D12P3G002
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 400A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9,017.41050

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,017.41050

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EM6J1T2R
EM6J1T2R
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.76631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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SP8J3FU6TB
SP8J3FU6TB
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.67891

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.67891

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SP8J2FU6TB
SP8J2FU6TB
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOP

¥4.50508

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.50508

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SP8J1FU6TB
SP8J1FU6TB
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOP

¥9.12605

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.12605

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SP8J5FU6TB
SP8J5FU6TB
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOP

¥5.09900

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.09900

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SP8J65TB1
SP8J65TB1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥8.64802

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.64802

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SP8J66TB1
SP8J66TB1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP

¥8.41625

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.41625

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UT6J3TCR1
UT6J3TCR1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 供应商设备包装: DFN2020-8D 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.00044

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,001.33200

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US6J11TR
US6J11TR
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.67721

495

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.67721

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BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1700伏(1.7千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 250A(Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7,127.01360

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,127.01360

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UT6KC5TCR
UT6KC5TCR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 供应商设备包装: DFN2020-8D 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.80833

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.80833

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MP6K31TR
MP6K31TR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.69244

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.69244

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SH8K2TB1
SH8K2TB1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOP (5.0x6.0) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥7.02561

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.02561

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