9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8MA4TB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8MA4TB1价格参考$11.11000。Rohm Semiconductor SH8MA4TB1封装/规格：SH8MA4TB1是低电阻A。您可以下载SH8MA4TB 1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SH8M24TB1是MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8，包括SH8M24系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOP，FET类型为N和P通道，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为45V，输入电容Cis-Vds为550pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A、3.5A，最大Id Vgs上的Rds为46 mOhm@4.5A、10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为9.6nC@5V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为45 V，漏极-源极电阻Rds为46mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，正向跨导Min为3.5S。
SH8M2TB1是MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，设计用于30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道1 P沟道，晶体管极性设计用于N沟道P沟道以及Si技术，该设备也可以用作8-SOP供应商设备包。此外，该系列为SH8M2，该器件提供83 mOhm@3.5A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有107 mOhm Rds On Drain Source电阻，最大功率为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Ciss Vds为140pF@10V，Id连续漏极电流为3.5A，栅极电荷Qg Vgs为3.5nC@5V，正向跨导Min为2S，FET类型为N和P通道，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3.5A。
SH8M24TB1/SH8M24GTB1，电路图由ROHM制造。SH8M24TB1/SH8M24GTB1在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SH8M3，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。SH8M3采用SOP-8封装，是FET阵列的一部分。
