9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8K4TB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8K4TB1价格参考1.78000美元。Rohm Semiconductor SH8K4TB1封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8。您可以下载SH8K4TB1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SH8K3TB1是MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8，包括SH8K3系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件采用8-SOP供应商器件封装，该器件具有2 N通道（双通道）FET类型，功率最大值为2W，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为600pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，最大Id Vgs上的Rds为24mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为11.8nC@5V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为25 mOhm，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为5 S。
带有用户指南的SH8K41GZETB，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作，数据表说明中显示了用于8-SOP的供应商设备包，提供SH8K41、Rds on Max Id等系列功能。Vgs设计为在130 mOhm@3.4A、10V以及1.4W最大功率下工作，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），器件为表面安装型，输入电容Cis-Vds为600pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为6.6nC@5V，FET类型为2 N通道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为3.4A。
SH8K4TB，电路图由ROHM制造。SH8K4TB在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
