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BSM080D12P2C008

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 场效应管特性 碳化硅(SiC)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200V(1.2千伏)
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 13.2毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800皮法 @ 10V
  • 最大功率 600W
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)

BSM080D12P2C008 产品详情

ROHM半导体SiC功率模块是将SiC SBD和SiC MOSFET集成到单个封装中的半桥SiC模块。这些ROHM SiC模块通过降低的开关损耗提供高频。与额定值相似的IGBT模块相比,这些SiC功率模块将电感降低一半。这种降低的电感允许额定电流高达300A的设备。集成热敏电阻可防止过热。

特色

  • 低浪涌,低开关损耗。
  • 可以进行高速切换。
  • 降低温度依赖性。
BSM080D12P2C008所属分类:场效应晶体管阵列,BSM080D12P2C008 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSM080D12P2C008价格参考¥2316.569136,你可以下载 BSM080D12P2C008中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSM080D12P2C008规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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