| QS8F2TCR | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: PNP,P通道 额定电压: 12伏、30伏 额定电流(单位:安培): 2.5A,2A 供应商设备包装: TSMT8 应用及使用: 一般用途 | ¥20.53333 |
| QS8M51TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A,1.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥9.4882 |
| QS8J13TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.64946 |
| QS8K21TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.02561 |
| QS8J2TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.5355 |
| QS8M13TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.89476 |
| QS8J11TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.34574 |
| QS8M31TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta), 2A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.5046 |
| QS8882-15V | | QS8882 - CACHE SRAM, 16KX4, 15NS | ¥17.96239 |
| QS83XXY12 | APEM公司 (APEM) | 种类: 发光二极管 灯泡颜色: Yellow 面板切口尺寸: 0.315英寸(8.00毫米) 电压: 12伏 评级: DC | ¥23.6372 |