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QS8M51TR

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A,1.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.48819 9.48819
10+ 8.45970 84.59707
100+ 6.59683 659.68330
500+ 5.44955 2724.77900
1000+ 4.30228 4302.28300
3000+ 4.01546 12046.39200
6000+ 3.91116 23466.99600
  • 库存: 5982
  • 单价: ¥9.48820
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.49
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A,1.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 325毫欧姆 @ 2A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.7nC @ 5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290华氏度@25伏
  • 最大功率 1.5瓦
  • 供应商设备包装 TSMT8

QS8M51TR 产品详情

复杂型MOSFET(P+N)通过微处理技术制成低导通电阻器件,适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场上的各种需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Nch+Pch中功率MOSFET
  • 快速切换速度
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


QS8M51TR所属分类:场效应晶体管阵列,QS8M51TR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。QS8M51TR价格参考¥9.488199,你可以下载 QS8M51TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询QS8M51TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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