9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的QS8M13TCR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。QS8M13TCR价格参考1.09000美元。Rohm Semiconductor QS8M13TCR封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8。您可以下载QS8M13TCR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如QS8M13TCR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
QS8M12TCR是MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8，包括QS8M12系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在TSMT8供应商设备包中提供，该设备具有FET型N和P信道，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为250pF@10V，FET特性为逻辑电平门，并且电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为42 mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为3.4nC@5V，Id连续漏极电流为4 A-4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V-30 V，漏极-漏极电阻为42 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道。
QS8M11TCR带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于与TSMT8供应商设备包一起操作，系列如数据表注释所示，用于QS8M11，提供Digi-ReelR替代包装等包装功能，包装盒设计用于8-SMD、扁平引线以及表面安装安装型，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供3.5A电流连续漏极Id 25°C。
QS8M11A，电路图由ROHM制造。QS8M11A采用SOT-8封装，是IC芯片的一部分。
