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BSM120D12P2C005

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
1+ 2773.81341 2773.81341
10+ 2663.72133 26637.21333
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 安装类别 -
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 场效应管特性 碳化硅(SiC)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200V(1.2千伏)
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@22毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 14000皮法@10V
  • 最大功率 780W

BSM120D12P2C005 产品详情

ROHM半导体的全SiC半桥功率模块将SiC MOSFET和SBD集成在标准工业封装中。利用原始的电场缓解结构以及新颖的筛选方法,以保持可靠性,并能够开发用于全SiC功率模块的第一个大规模生产系统。

特色

  • 具有SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块
  • 高速开关和低开关损耗
  • 确保体二极管传导的可靠性
BSM120D12P2C005所属分类:场效应晶体管阵列,BSM120D12P2C005 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSM120D12P2C005价格参考¥2773.813413,你可以下载 BSM120D12P2C005中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSM120D12P2C005规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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