9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD80N04S3-06，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD80N04S3-06参考价格为0.56000美元。Infineon Technologies IPD80N04S3-06封装/规格：OPTLMOS N沟道功率MOSFET。您可以下载IPD80N04S3-06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD78CN10NGATMA1具有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与G IPD78CN20N SP001127814部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作1 N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供31 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为78mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为8nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
IPD800N06N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 60V 16A TO-252。IPD800N06N G提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 16A TO-252。
IPD800N06NG，带有infineon制造的电路图。IPD800N06NG在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
