PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- N通道 2.7A,20V RDS(开启)=0.08Ω@VGS=4.5V RDS(开启)=0.12Ω@VGS=2.5V
- P通道 -1.6A,-20V RDS(开)=0.17Ω@VGS=-4.5V RDS(开启)=0.25Ω@VGS=-2.5V
- 切换速度快。
- 低栅极电荷。
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术。
- 超级SOT™ -6包装:占地面积小(比标准SO-8小72%);低轮廓(1mm厚)。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。