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FDC6327C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A、1.9A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.27331 4.27331
10+ 3.65042 36.50422
100+ 2.72622 272.62280
500+ 2.14187 1070.93500
1000+ 1.65507 1655.07500
3000+ 1.54889 4646.68200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.27
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大功率 700mW
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A、1.9A
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 2.7A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 325皮法 @ 10V

FDC6327C 产品详情

PowerTrench®双N/P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • N通道 2.7A,20V RDS(开启)=0.08Ω@VGS=4.5V RDS(开启)=0.12Ω@VGS=2.5V
  • P通道 -1.6A,-20V RDS(开)=0.17Ω@VGS=-4.5V RDS(开启)=0.25Ω@VGS=-2.5V
  • 切换速度快。
  • 低栅极电荷。
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术。
  • 超级SOT™ -6包装:占地面积小(比标准SO-8小72%);低轮廓(1mm厚)。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC6327C所属分类:场效应晶体管阵列,FDC6327C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC6327C价格参考¥3.838737,你可以下载 FDC6327C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC6327C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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