9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TT8J2TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TT8J2TR参考价格为0.89000美元。Rohm Semiconductor TT8J2TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8。您可以下载TT8J2TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TT8J21TR是MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8，包括TT8J21系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-TSST供应商设备包中提供，该设备具有双双漏极配置，FET类型为2 P信道（双），最大功率为650mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1270pF@110V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs的Rds为68 mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为68mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的TT8J13TCR，包括1V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于使用Si技术，数据表说明中显示了用于8-TSST的供应商设备包，该设备提供TT8J13、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计用于62 mOhm@2.5A、4.5V以及1W Power Max，该设备还可以用作Digi-ReelR备用包装。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，其工作温度范围为150°C（TJ），器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为2000pF@6V，栅极电荷Qg Vgs为16nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，1.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏电流Id为2.5A。
TT8J1TR是MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在13nC@4.5V下工作，以及1350pF@6V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备采用8-SMD、扁平引线封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.25W，最大Id Vgs的Rds为61 mOhm@2.5A、4.5V，供应商设备封装为8-TSST，最大Id的Vgs为1V@1mA。
