·UlItra低导通电阻
·双N和P沟道MOSFET
·表面贴装
·完全雪崩等级
·无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
SO-8通过定制引线框架进行了修改,以增强热特性和多芯片能力,使其成为各种电源应用的理想选择。通过这些改进,可以在一个应用程序中使用多个设备,大大减少了板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 双N和P沟道MOSFET
(图片:引出线)