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BSC0911NDATMA1

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门,4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A、30A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.78952 15.78952
10+ 14.15987 141.59870
100+ 11.38149 1138.14930
500+ 9.35116 4675.58150
1000+ 8.90587 8905.87000
5000+ 8.90587 44529.35000
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大功率 1W
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道)不对称
  • 场效应管特性 逻辑电平门,4.5V驱动
  • 供应商设备包装 PG-TISON-8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18A、30A
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.2毫欧姆@20A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12V时为1600皮法

BSC0911NDATMA1 产品详情

使用OptiMOS™ 25V产品系列,英飞凌为分立功率MOSFET和封装系统设定了功率密度和能效方面的新标准。超低的栅极和输出电荷,以及小封装中最低的导通电阻,使OptiMOS™ 25V是服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。提供半桥配置(功率级5x6)。

特色

  • 通过减少多相转换器中的相数,节省整体系统成本
  • 在所有负载条件下降低功耗并提高效率
  • 使用像CanPAK这样的最小包装节省空间™, S3O8或成套系统解决方案
  • 最小化系统中的EMI,使外部缓冲网络过时,产品易于设计

应用

  • 车载充电器
  • 主板
  • 笔记本
  • 直流-直流
  • VRD/VRM
  • 发光二极管
  • 电机控制
BSC0911NDATMA1所属分类:场效应晶体管阵列,BSC0911NDATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC0911NDATMA1价格参考¥15.789522,你可以下载 BSC0911NDATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC0911NDATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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