9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG20N6S4L26ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N6S4L26ATMA1参考价格为1.27000美元。Infineon Technologies IPG20N6S4L26ATMA1封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8。您可以下载IPG20N6S4L26ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPG20N06S4L26ATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPG20N06S4L26AATMA1是MOSFET 2N-CH 8TDSON，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了IPG20N06S4L-26A SP001023848中使用的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PG-TDSON-8-10，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为33W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1430pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为26 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.2V@10μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为51 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为2ns，并且Qg栅极电荷为13nC，并且信道模式为增强。
IPG20N06S4L-26是MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极-源极电阻为26 mOhms，该器件提供33 W Pd功耗，该器件具有IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N6S4L26XT SP000705588部件别名，包装为卷轴式，封装盒为TDSON-8，通道数为2通道，安装样式为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为20A，并且配置为双重。
IPG20N06S4L-26A带有电路图，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于1信道数的信道，封装情况如数据表注释所示，用于TDSON-8，该TDSON-8提供卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPG20N6S4L26AATMA1 SP001023848以及XPG20N06系列，该设备也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
