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DMN3032LFDB-7

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.18687 3.18687
10+ 2.73057 27.30573
100+ 2.03887 203.88760
500+ 1.60198 800.99250
1000+ 1.23795 1237.95600
3000+ 1.12873 3386.20200
6000+ 1.05587 6335.22000
  • 库存: 8831
  • 单价: ¥3.18688
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.19
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 1W
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type B)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.6 nC@10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.2A
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 5.8A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500皮法 @ 15V

DMN3032LFDB-7 产品详情

该MOSFET设计用于最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。

特色

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速切换速度
  • 低输入/输出泄漏

应用

  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
  • STB公司
  • 笔记本
  • 通信
DMN3032LFDB-7所属分类:场效应晶体管阵列,DMN3032LFDB-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3032LFDB-7价格参考¥3.186876,你可以下载 DMN3032LFDB-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3032LFDB-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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