英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双P通道配置。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 针对4.5V栅极驱动电压(称为逻辑电平)进行优化,能够在2.5V栅极驱动电流(称为超级逻辑电平)下驱动
- 降低了高端配置的设计复杂性(与N通道器件相比)
- 与微控制器的接口更简单(与N通道设备相比)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 15.89164 | 15.89164 |
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英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双P通道配置。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。