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FD1400R12IP4DBOSA1

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 -
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)

FD1400R12IP4DBOSA1 产品详情

1200 V PrimePACK™3斩波IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT4、放大的发射极控制4二极管和NTC。也可使用热界面材料。

特色

  • 延长工作温度T(tvj op)
  • 高直流稳定性
  • 高短路能力,自限短路电流
  • 具有正温度系数的VCEsat
  • 低VCEsat
  • 4kV AC 1min绝缘
  • CTI>400的包装
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 高功率和热循环能力
  • 低热阻基板
  • UL认可
  • 高功率密度
  • 标准化住房

应用

潜在应用

     

 


FD1400R12IP4DBOSA1所属分类:场效应晶体管阵列,FD1400R12IP4DBOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FD1400R12IP4DBOSA1价格参考¥4585.697277,你可以下载 FD1400R12IP4DBOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FD1400R12IP4DBOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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