TT8J11TCR
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.25930 | 3.25930 |
| 10+ | 2.78127 | 27.81274 |
| 100+ | 2.07436 | 207.43670 |
| 500+ | 1.63008 | 815.04350 |
| 1000+ | 1.25961 | 1259.61300 |
| 3000+ | 1.34717 | 4041.53700 |
- 库存: 2042
- 单价: ¥3.25931
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.26
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 场效应管特性 逻辑电平门，1.5V驱动
- 供应商设备包装 8-TSST
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22nC @ 4.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 3.5A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2600皮法@6V
- 最大功率 650mW
TT8J11TCR 产品详情
双P沟道MOSFET晶体管
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| TT8M-T | MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R | ¥0.00 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
