9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG20N04S4L07ATM1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N04S4L07ATMA1参考价格$1.85000。Infineon Technologies IPG20N04S4L07ATM1封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON。您可以下载IPG20N04S4L07ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG20N04S4L07ATMA1是MOSFET 2N-CH 8TDSON，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了IPG20N04S4L-07A SP001061264中使用的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PG-TDSON-8-10，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为65W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为3980pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为7.2mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.2V@30μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为65W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为4ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为9ns，并且Qg栅极电荷为39nC，并且信道模式为增强。
IPG20N04S4L-07是MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极-源极电阻为8 mOhm，该器件提供65 W Pd功耗，该器件具有IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20R04S4L07XT SP000705484部件别名，包装为卷轴式，封装盒为TDSON-8，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为20A，并且配置为双重。
IPG20N04S412ATMA1，带电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于18nC@10V，以及1470pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为41W，最大Id Vgs的Rds为12.2 mOhm@17A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，供应商设备包为PG-TDSON-8-4（5.15x6.15），Vgs th最大Id为4V@15μA。
