描述
这些N沟道逻辑电平MOSFET是使用Fairchild Semiconductors先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而获得优异的开关性能。这些设备非常适合于所有需要小尺寸但在电池供电系统中成本特别低的DC/DC转换的应用。
特征
•2.5安培，30伏
•Rds（开）=0.095Ω@Vgs=10 V
•Rds（开）=0.145Ω@Vgs=4.5 V
•切换速度非常快
•低栅极电荷（典型值为2.1nC
•超级SOT™-6封装：占地面积小（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
描述
这些N沟道逻辑电平MOSFET是使用Fairchild Semiconductors先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而获得优异的开关性能。这些设备非常适合于所有需要小尺寸但在电池供电系统中成本特别低的DC/DC转换的应用。
特征
•2.5安培，30伏
•Rds（开）=0.095Ω@Vgs=10 V
•Rds（开）=0.145Ω@Vgs=4.5 V
•切换速度非常快
•低栅极电荷（典型值为2.1nC
•超级SOT™-6封装：占地面积小（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
特色
- 2.5安培，30伏
- RDS（开）=0.095Ω@VGS=10 V
- RDS（开）=0.145Ω@VGS=4.5 V
- 非常快的切换
- 低栅极电荷（典型值为2.1nC
- 超级SOT™-6封装：占地面积小（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
