9icnet为您提供由onsemi设计和生产的CPH6636R-TL-W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CPH6636R-TL-W参考价格为0.45000美元。onsemi CPH6636R-TL-W封装/规格：MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6。您可以下载CPH6636R-TL-W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CPH6635-TL-H是MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6，包括CPH6635系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-23-6薄型、TSOT-23-6以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商器件包的6-CPH，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N通道1 P信道、漏极到源极电压Vdss为30V、20V，输入电容Ciss Vds为7pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为400mA，1.5A，Rds On最大Id Vgs为3.7Ohm@80mA，4V，栅极电荷Qg Vgs为1.58nC@10V；Pd功耗为800mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为120ns，上升时间为65ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为400mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为155ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为1.58nC，正向跨导Min为0.22S。
CPH6619-TL-E，带有SANYO制造的用户指南。CPH6619-TL-E采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
CPH6622-TL-E，电路图由SANYO制造。CPH6622-TL-E在SOT23-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
