9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD75208W1015，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD75208W1015参考价格0.61000美元。德州仪器CSD75208W1015封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP。您可以下载CSD75208W1015英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD75207W15是MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计用于9-UFBGA、DSBGA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的9-DSBGA，配置为双公共源极通道，FET类型为2 P通道（双），最大功率为700mW，晶体管类型为2 P-通道，输入电容Cis-Vds为595pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.9A，最大Id Vgs上的Rds为162 mOhm@1A，1.8V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.7nC@4.5V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-2.4 A，Vgs栅极-源极阈值电压为-800mV，漏极-源极电阻为27mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为2.9nC。
CSD75205W1015是MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA，包括850mV@250μA Vgs th Max Id，设计用于与6-DSBGA（1x1.5）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如120 mOhm@1A，4.5V，Power Max设计为工作在750mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作6-UFBGA、DSBGA封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有265pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为2.2nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.2A。
CSD75204W15是MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA，包括3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于逻辑电平门FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 P通道（双通道），提供门电荷Qg Vgs功能，如3.9nC@4.5V，输入电容Cis Vds设计用于410pF@10V，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为9-UFBGA、DSBGA，该设备采用Digi-ReelR包装，该设备最大功率为700mW，系列为NexFET？，供应商设备包为9-DSBGA，Vgs th Max Id为900mV@250μA。
