9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FW216-NMM-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FW216-NMM-TL-E参考价格为0.12000美元。onsemi FW216-NMM-TL-E封装/规格：N沟道MOSFET。您可以下载FW216-NMM-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FW216-NMM-TL-E价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FW216A-TL-2W，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）包装，它们设计用于8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为35V，该器件提供280pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，FET特性的4V驱动，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为64mOhm@4.5A，10V，栅极电荷Qg Vgs为5.6nC@10V。
带有用户指南的FW216A-TL-2WX，包括35 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.019048 oz单位重量运行，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于FW216A-TL-2WX以及64 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOIC-8，器件提供4.5 A Id连续漏电流。
FW21555BA，带有INTEL制造的电路图。FW21555BA采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
FW21555BB，带有INTEL制造的EDA/CAD模型。FW21555BB采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
