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IPG16N10S4L61AATMA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于IPG16N10S4L-61A SP001102932的零件别名，该产品提供封装外壳功能，如8-PowerVDFN，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装型。此外，信道数为1信道，该设备在PG-TDSON-8-10供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET型，最大功率为29W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为845pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs的Rds为61mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为2.1V@90μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@10V，晶体管极性为N沟道。
IPG20N04S4-08是MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极-源极电阻为7.6 mOhms，该器件提供65 W Pd功耗，该器件具有IPG20N04S408ATMA1 IPG20R04S408XT SP000705582部件别名，包装为卷轴式，封装盒为TDSON-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为20A，并且配置为双重。
IPG20N04S408AATMA1，带电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于36nC@10V，以及2940pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为65W，最大Id Vgs的Rds为7.6 mOhm@17A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，供应商设备包为PG-TDSON-8-10，Vgs th最大Id为4V@30μA。
