9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD88537ND,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD88537ND价格参考1.45000美元。德州仪器CSD88537ND封装/规格:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC。您可以下载CSD88537ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD87588NT是MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB,包括NexFET?系列,它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装,安装方式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供NexFET等商标功能,包装盒设计为在5-LGA以及Si技术中工作,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供2信道数量的信道,该器件具有5-PTAB(5x3.5)的供应商器件封装,配置为双路,FET类型为2 N信道(半桥),最大功率为6W,晶体管类型为2 N-信道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为736pF@15V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为25A,最大Id Vgs上的Rds为9.6 mOhm@15A,10V,Vgs最大Id为1.9V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为4.1nC@4.5V,Pd功耗为6 W,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为5 ns 6.3 ns,上升时间为31.6ns 36.7ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为25A 25A,Vds漏极-源极击穿电压为30V 30V,Vgs第栅极-源阈值电压为1.9V,Rds导通漏极-漏极电阻为10.4mOhms 3.5mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为10.2ns 20.1ns,典型导通延迟时间为7.3ns 12.1ns,Qg栅极电荷为3.2nC13.7nC,正向跨导Min为43S 93S。
CSD87588N是MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB,包括1.9V@250μA Vgs th Max Id,它们设计为在1.1 V至1.9 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作,Vgs栅极-源电压如数据表注释所示,用于20 V,提供Vds漏极-源极击穿电压特性,如30 V 30 V,典型开启延迟时间设计为12.1 ns,该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件以NexFET商品名提供,该器件具有技术Si,供应商器件包为5-PTAB(3x2.5),系列为NexFET?,上升时间为36.7 ns,Rds On Max Id Vgs为9.6 mOhm@15A、10V,Rds On Drain Source电阻为10.4 mOhms 3.5 mOhms,Qg栅极电荷为2.8 nC,功率最大值为6W,Pd功耗为6 W,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为5-XFLGA,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数量为2通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,其最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,输入电容Cis-Vds为736pF@15V,Id连续漏极电流为25 A 25 A,栅极电荷Qg-Vgs为4.1nC@4.5V,正向跨导最小值为93 S,FET类型为2 N沟道(半桥),FET特性为逻辑电平门,下降时间为6.3 ns,漏极到源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为25A,配置为双重。
CSD87588NEVM-603是CSD87588N的EVAL模块,包括全填充板类型,它们设计用于25A电流输出,用于CSD87588N-TPS51219的数据表注释中显示,该产品提供300kHz等频率切换功能,输入电压设计用于4.5 V至20 V,以及DC/DC降压主用途,该器件也可以用作20A输出电流。此外,输出和类型为1,非隔离,设备提供1 V输出电压,设备具有大量封装,产品为评估模块,调节器拓扑为Buck,系列为NexFET?,提供的内容为板,评估工具为CSD87588,类型为电源控制器,使用的IC部件为CSD87588N,TPS51219,电压输入为8V~20V,电压输出为1V。