9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6913DQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6913DQ-T1-GE3参考价格$1.41000。Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP。您可以下载SI6913DQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI6913DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI6913DQ-T1中使用的零件别名，该SI6913 DQ-T1提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒外，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为12V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@5.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@400μA，栅极电荷Qg Vgs为28nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为80 ns，上升时间为80纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为21 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为25S，信道模式为增强。
SI6882EDQ-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI6882EDQ-T1-E3在MSOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI6903带有SK制造的电路图。SI6903采用SIP封装，是IC芯片的一部分。
