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DMN53D0LDW-13

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 360毫安 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.60744 2.60744
10+ 1.93385 19.33854
100+ 1.09367 109.36780
500+ 0.72429 362.14500
1000+ 0.55524 555.24100
2000+ 0.48281 965.62400
5000+ 0.43450 2172.51000
10000+ 0.38626 3862.64000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.60744
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.61
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 漏源电压标 (Vdss) 50V
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-363
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.6欧姆@500毫安,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 360毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 46皮法 @ 25V
  • 最大功率 310mW

DMN53D0LDW-13 产品详情

N沟道MOSFET,40V至90V,二极管公司
DMN53D0LDW-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMN53D0LDW-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN53D0LDW-13价格参考¥2.607444,你可以下载 DMN53D0LDW-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN53D0LDW-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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