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CSD87334Q3DT

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.96479 12.96479
10+ 11.63934 116.39340
25+ 10.98023 274.50590
100+ 9.35420 935.42050
250+ 8.78303 2195.75750
500+ 7.68515 3842.57550
1000+ 7.25014 7250.14300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.96479
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.96
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 最大功率 6W
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V
  • 供应商设备包装 8-VSON (3.3x3.3)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道)不对称
  • 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 12A, 8V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1260皮法@15V

CSD87334Q3DT 产品详情

CSD87334Q3DT NexFET功率块是针对同步降压和升压应用的优化设计,在3.3 mm×3.3 mm的小外形中提供高电流、高效率和高频能力。该产品针对5V门驱动应用进行了优化,当与外部控制器或驱动器配对时,可为高占空比应用提供灵活的解决方案。

特色

  • 半桥电源块
  • 针对高占空比进行了优化
  • 高达24 Vin
  • 12 A时96.1%的系统效率
  • 12 A时的1.6-W P损耗
  • 高达20-A操作
  • 高频操作(最高1.5 MHz)
  • 高密度SON 3.3 mm×3.3 mm占地面积
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子电镀


CSD87334Q3DT所属分类:场效应晶体管阵列,CSD87334Q3DT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD87334Q3DT价格参考¥12.964791,你可以下载 CSD87334Q3DT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD87334Q3DT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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