特色
- 低压（1.2V）驱动类型
- Nch+Nch小信号MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
UM6K33NTN
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.2V驱动 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.67987 | 2.67987 |
| 10+ | 2.02076 | 20.20769 |
| 100+ | 1.14437 | 114.43780 |
| 500+ | 0.75760 | 378.80350 |
| 1000+ | 0.58088 | 580.88100 |
| 3000+ | 0.50512 | 1515.36000 |
| 6000+ | 0.45463 | 2727.82200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.67987
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.68
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为25皮法
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 漏源电压标 (Vdss) 50V
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@200毫安，4.5V
- 最大功率 120兆瓦
- 供应商设备包装 UMT6
- 场效应管特性 逻辑电平门，1.2V驱动
UM6K33NTN 产品详情
双N沟道MOSFET晶体管
UM6K33NTN 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | UM62009LSET | 博普拉 (Bopla) | 容器种类: 箱 材质: 塑料，ABS 色彩/颜色: 灰色 大小/尺寸: 11.453英寸长x 7.831英寸宽（290.90毫米 x 198.90毫米） | ¥243.21658 |
 | UM6X1NA-TP | 微型商业组件 (Micro) | DUAL N-CHANNEL MOSFET, SOT-563 | ¥2.39016 |
 | UM6411 | 联合半导体(香港)有限公司 (Union) | 种类: 低通 技术: RC（Pi） 值: R=100欧姆，C=10华氏度 通道数量: 6 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥5.43218 |
 | UM66T19LK-T92-K | 暂无 | ¥1.10128 | |
 | UM66T32LK-T92-K | 暂无 | ¥1.59776 | |
| UM6K31NFU7TN | 罗姆 (Rohm) | 暂无 | ¥0.51174 |
| UM610G-AG6-R | ¥0.69459 | ||
| UM6001B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | ¥0.00 | |
| UM6202B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | ¥0.00 | |
| UM6201B | SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL | ¥0.00 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
