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CSD87335Q3DT

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 8-LSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.99280 14.99280
10+ 13.47179 134.71794
25+ 12.70694 317.67360
100+ 10.82596 1082.59630
250+ 10.16497 2541.24400
500+ 8.89428 4447.14050
1000+ 8.39090 8390.90000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.99280
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.99
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.9V@250A.
  • 最大功率 6W
  • 包装/外壳 8-PowerLDFN
  • 供应商设备包装 8-LSON (3.3x3.3)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 25A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1050皮法@15V

CSD87335Q3DT 产品详情

CSD87335Q3DT NexFET功率块是一种针对同步降压应用的优化设计,以3.3-mm×3.3-mm的小外形提供高电流、高效率和高频性能。该产品针对5V栅极驱动器应用进行了优化,提供了一种灵活的解决方案,当与来自外部控制器或驱动器的任何5V栅极驱动器配对时,能够提供高密度电源。

特色

  • 半桥电源块
  • 最高27-V VIN
  • 15 A时系统效率为93.5%
  • 高达25-A操作
  • 高频操作(最高1.5 MHz)
  • 高密度SON 3.3-mm×3.3-mm占地面积
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子电镀


CSD87335Q3DT所属分类:场效应晶体管阵列,CSD87335Q3DT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD87335Q3DT价格参考¥14.992803,你可以下载 CSD87335Q3DT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD87335Q3DT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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