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CSD86350Q5DT

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: 8-LSON (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 23.61185 23.61185
10+ 21.19996 211.99968
100+ 17.36919 1736.91980
250+ 16.47846 4119.61675
500+ 14.78609 7393.04550
1000+ 14.17073 14170.73400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥23.61185
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23.61
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 包装/外壳 8-PowerLDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Ta)
  • 供应商设备包装 8-LSON (5x6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 25A, 5V, 1.1毫欧姆 @ 25A, 5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A、 1.6V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12.5V时1870皮法,12.5V时4000皮法
  • 最大功率 13W(Ta)

CSD86350Q5DT 产品详情

CSD86350Q5DEVM-604 NexFET功率块是一款针对同步降压应用的优化设计,以小的5mm×6mm外形提供高电流、高效率和高频能力。该产品针对5V栅极驱动器应用进行了优化,提供了一种灵活的解决方案,当与来自外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动器配对时,能够提供高密度电源。

特色

  • 半桥电源块
  • 25A时90%的系统效率
  • 高达40-A操作
  • 高频操作(最高1.5 MHz)
  • 高密度SON 5-mm×6-mm占地面积
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子电镀
  • 应用
    • 同步降压转换器
      • 高频应用
      • 高电流、低占空比应用
    • 多相同步降压转换器
    • POL DC-DC转换器
    • IMVP、VRM和VRD应用程序
CSD86350Q5DT所属分类:场效应晶体管阵列,CSD86350Q5DT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD86350Q5DT价格参考¥23.611854,你可以下载 CSD86350Q5DT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD86350Q5DT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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