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CSD88599Q5DCT

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: 22-VSON-CLIP(5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 62.54172 62.54172
10+ 54.85931 548.59318
30+ 50.18261 1505.47842
100+ 46.26259 4626.25900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥62.54172
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥62.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27nC @ 4.5V
  • 最大功率 12W
  • 包装/外壳 22 PowerTFDFN
  • 供应商设备包装 22-VSON-CLIP(5x6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.1毫欧姆@30A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4840皮法 @ 30V

CSD88599Q5DCT 产品详情

CSD88599Q5DCT 60-V电源块是一种针对大电流电机控制应用的优化设计,如手持式、无绳花园和电动工具。该设备采用TI的堆叠式技术,以最大限度地减少寄生电感,同时在节省空间的热增强型DualCool 5-mm×6-mm封装中提供完整的半桥。该电源块设备具有暴露的金属顶部,可用于简单的散热应用,通过封装顶部将热量排出PCB,在许多电机控制应用所需的较高电流下获得优异的热性能。

特色

  • 半桥电源块
  • 高密度SON 5-mm×6-mm占地面积
  • 低RDS(ON),以最小化传导损耗
    • 30A时的3.0W功率损失
  • DualCool热增强组件
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅端子电镀


CSD88599Q5DCT所属分类:场效应晶体管阵列,CSD88599Q5DCT 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD88599Q5DCT价格参考¥62.541724,你可以下载 CSD88599Q5DCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD88599Q5DCT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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