特色
- -2.2安培,-20伏
- RDS(开启)=125mΩ@VGS=-4.5 V
- RDS(开启)=190mΩ@VGS=-2.5 V
- 低栅极电荷
- 快速切换速度
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 超级SOT™ -6封装:占地面积小,比标准SO-8小72%;薄型(1mm厚)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 4.70788 | 4.70788 |
10+ | 4.15018 | 41.50182 |
100+ | 3.18253 | 318.25300 |
500+ | 2.51603 | 1258.01950 |
1000+ | 2.01280 | 2012.80200 |
3000+ | 2.00143 | 6004.29300 |
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