9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN61D9UDW-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN61D9UDW-7参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMN61D9UDW-7封装/规格:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A。您可以下载DMN61D9 UDW-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如DMN61D9UDW-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
DMN61D8LVT-7,带有引脚细节,包括DMN61系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6等封装外壳功能。技术设计为在硅中工作,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该装置也可以用作表面安装型。此外,信道数为2信道,该设备在TSOT-26供应商设备包中提供,该设备具有双重配置,FET类型为2 N信道(双重),最大功率为820mW,晶体管类型为2 N-信道,漏极至源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为12.9pF@12V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为630mA,最大Id Vgs的Rds为1.8 Ohm@150mA,5V,Vgs最大Id为2V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@5V,Pd功耗为820 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为440 ns 440 ns,上升时间为301 ns 301 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-12 V,Id连续漏极电流为630 mA 630 mA,Vds漏极-源极击穿电压为60 V 60 V,Vgs第栅极-源阈值电压为1.3 V 1.3 V,Rds漏极源极导通电阻为2.4欧姆2.4欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为582 ns 582 ns,并且典型的开启延迟时间是131ns 131ns,并且Qg栅极电荷是0.74nC 0.74nCC,并且信道模式是增强。
带有用户指南的DMN61D8LVTQ-13,包括2V@1mA Vgs th Max Id,它们设计用于2 N沟道晶体管类型,晶体管极性如数据表注释所示,用于N沟道,提供Si等技术特性,供应商设备包设计用于TSOT-26以及DMN61系列,该设备也可用于1.8 Ohm@150mA,最大Id Vgs上的5V Rds。此外,最大功率为820mW,该设备采用胶带和卷轴(TR)交替包装包装,该设备具有SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为2通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,输入电容Ciss Vds为12.9pF@12V,栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@5V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为60V,25°C的电流连续漏极Id为630mA。
带有电路图的DMN61D8LVT-13,包括630mA电流连续漏极Id 25°C,设计用于60V漏极到源极电压Vdss,数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性,该逻辑电平门提供FET类型特性,如2 N通道(双通道),栅极电荷Qg Vgs设计用于0.74nC@5V,以及12.9pF@12V输入电容Cis Vds,该设备也可以用作表面安装型,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒,该设备具有Digi-ReelR替代封装,最大功率为820mW,Rds On Max Id Vgs为1.8 Ohm@150mA,5V,系列为DMN61,供应商设备封装为TSOT-26,技术为Si,Vgs th Max Id为2V@1mA。