9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD85301Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD85301Q2参考价格0.70000美元。德州仪器CSD85301Q2封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON。您可以下载CSD85301Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD85301Q2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD75301W1015是MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA，包括NexFET？系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表注释中显示了用于6-UFBGA、DSBGA的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及6-DSBGA（1x1.5）供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为800mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有195pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.2A，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为2.1nC@4.5V。
CSD83325L是MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR，包括6-PicoStar供应商设备包，它们设计用于NexFET？数据表说明中显示了用于2.3W的Power Max系列，该系列具有Digi-ReelR替代包装等包装功能，包装盒设计用于6-XFBGA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为10.9nC@4.5V，该器件提供2 N沟道（双）公共漏极FET类型，该器件具有FET特性标准。
CSD83325LT是MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR，包括标准FET功能，它们设计用于2 N沟道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于10.9nC@4.5V，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及6-XFBGA封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，最大功率为2.3W，该设备采用NexFET？该设备具有6 PicoStar供应商设备包。
