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IRF7328TRPBF

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.12365 14.12365
10+ 12.64610 126.46103
100+ 9.86120 986.12080
500+ 8.14623 4073.11700
1000+ 7.14584 7145.84500
4000+ 7.14584 28583.38000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.12
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@8A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
  • 最大功率 2W
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时为2675华氏度

IRF7328TRPBF 产品详情

P沟道功率MOSFET 30V,英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 双P沟道MOSFET
IRF7328TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7328TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7328TRPBF价格参考¥12.312930,你可以下载 IRF7328TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7328TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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