9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSL205NL6327，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSL205NL6327参考价格0.16000美元。Infineon Technologies BSL205NL6327封装/规格：小信号N沟道MOSFET。您可以下载BSL205NL6327英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSL205NH6327XTSA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSL205N H6327 SP001100646，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SC-74、SOT-457以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PG-TSOP6-6，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为419pF@10V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@11μA，栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@4.5V，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.4 ns 2.4 ns，上升时间为2.9 ns 2.9 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V 12 V，Id连续漏极电流为2.5 A 2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V 20 V，Vgs第栅-源极阈值电压为600 mV，漏极-漏极电阻为50 mOhms 50 mOhm，晶体管极性为P沟道，并且典型的关断延迟时间是11ns 11ns，并且典型的接通延迟时间是5.8ns 5.8ns，并且Qg栅极电荷是2.1nC 2.1nC，并且信道模式是增强。
BSL205N H6327是MOSFET小信号+P-CH，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了BSL205等系列功能，零件别名设计用于BSL205NH6327XTSA1 SP001100646，以及卷筒包装，该设备也可以用作1信道数信道。
BSL205N L6327，带有INFINEON制造的电路图。BSL205N L6327在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
