CAB4是32位1:2命令/地址/控制缓冲区和1:4差分时钟缓冲区，设计用于在具有1.2 V VDD模式的DDR4注册DIMM上运行。
所有输入都是使用外部或内部电压参考的伪差分。所有输出均为全摆幅CMOS驱动器，经过优化，可驱动DDR4 RDIMM、LRDIMM和3D堆叠DIMM应用中的15至50Ω有效端接迹线。时钟输出、命令/地址输出、控制输出、数据缓冲控制输出可以成组启用，并以不同的强度独立驱动，以补偿不同的DIMM网络拓扑。DDR4寄存器根据差分时钟（CK_t和CK_c）进行操作。输入记录在CK_t变高和CK_c变低的交叉点。如果输入信号DCS[n:0]_n之一被驱动为低电平，则输入信号可以被重新驱动到输出端。
该装置的工作温度范围为-40°C至95°C。
特色
- DDR4RCD01 JEDEC兼容
- DDR4 RDIMM和LRDIMM最多
日期4-2400 - 32位1对2寄存器输出
- 1对4差分时钟缓冲器
- 1.2V操作
- 带内部反馈的PLL
- 可配置的驱动器强度
- 可扩展的弱驱动程序
- 可编程延迟
- 输出驱动器校准
- 地址镜像和反转
- DDR4完全奇偶校验操作
- 片上可编程VREF生成
- CA总线培训模式
- I2C接口支持
- 最多支持16个逻辑等级
用于3DS RDIMM
和LRDIMM - 最多4个物理级别支持
RDIMM和
LRDIMM
